Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.69€ | 2.01€ |
5 - 9 | 1.61€ | 1.92€ |
10 - 24 | 1.52€ | 1.81€ |
25 - 43 | 1.44€ | 1.71€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.69€ | 2.01€ |
5 - 9 | 1.61€ | 1.92€ |
10 - 24 | 1.52€ | 1.81€ |
25 - 43 | 1.44€ | 1.71€ |
N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFI630G. N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 800pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFI630G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.
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