Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A

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N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A. N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 137 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 02:25.

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