N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 238 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK50ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. IDss (min): 1us. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 600V, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P9NK60Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1100pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 28A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK60ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 13 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammopak. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 135 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-geschützt, ESD-verbesserte Fähigkeit. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1NK60ZR. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V

N-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Funktion: 2xN-CH 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: STripFET™ Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK60Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 156W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK80Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 800V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W10NK80Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 560 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit, Schaltanwendungen. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 33.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK100Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 1 kV, 8.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W11NK100Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 98 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.82 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 3000pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 584 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 635 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 42A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK80Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 3500pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 964ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 40A. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W13NK60Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 2030pF. Kosten): 210pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 48A. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W14NK50Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 900V, 0.55 Ohms, TO-247. Drain-Source-Spannung (Vds): 900V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-247. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 15A. Leistung: 350W

N-Kanal-Transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM80. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NK50Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 20A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NM50FD. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1380pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 214W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W20NM60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. Gewicht: 4.51g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N65M2. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.62 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 2400pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 136A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W34NB20. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Schaltnetzteile SMPS, DC-AC-Wandler. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v