Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z

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N-Kanal-Transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z. N-Kanal-Transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 560 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit, Schaltanwendungen. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 33.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK100Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 17:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 2800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v
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