Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP

N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP
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N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP. N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.

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N-Kanal-Transistor, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 900pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2645. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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