N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V - STD3NK80Z-1

N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V - STD3NK80Z-1. N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 11:25.