N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB3207. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 4520pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 31 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 620A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0046 Ohm. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 4750pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 512A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 310A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 3070pF. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 800pF. Kosten): 74pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. Id(imp): 51A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Kosten): 91pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. Id(imp): 52A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7.8 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 9620pF. Kosten): 670pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 370W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Gewicht: 1.99g. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0093 Ohms. Kosten): 490pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 86 ns. Transistortyp: MOSFET. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Gewicht: 1.99g. C(in): 5270pF. Id(imp): 420A. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 19.7m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 260A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 4530pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 330A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Klasse-D-Audioverstärker 300 W–500 W (Halbbrücke). Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB42N20D. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.072 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 4820pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Id(imp): 390A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4410ZPBF. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 7670pF. Kosten): 540pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4310. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB4710. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 75A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFB4710PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 230A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB52N15D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Plasma-Display. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 1750pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen. Id(imp): 140A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB5615PbF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 144W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1000A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 78 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(in): 7330pF. Kosten): 1095pF. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0015 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 250A/195A. Leistung: 230W

N-Kanal-Transistor, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.002 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 172A/120A. Leistung: 143W

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 770A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 143W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 115 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0026 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 123A/120A. Leistung: 99W

N-Kanal-Transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS