N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRFB7444PBF

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRFB7444PBF. N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 770A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 143W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 115 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 22:25.