N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 320 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 620 ns. Kosten): 93 ns. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +105°C. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 500V, 4.5A, 74W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 74W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF830PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 610pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 500V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840APBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1018pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840ASPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1018pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 500V, 8A, 500V, 0.85 Ohms, TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Herstellerkennzeichnung: IRF840PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 8A. Leistung: 125W

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840SPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 760pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 88A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF8707G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 24A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F8788. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.35V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5720pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F9952. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190/190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F9952Q. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190/190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.52 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1423pF. Kosten): 208pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 52 nC. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2830pF. Kosten): 3310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2870pF. Kosten): 3480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 1200pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 92A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B23N15D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 4220pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB260N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0021 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0028 Ohm. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 9400pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 850A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 370W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 69 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB3207. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 4520pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 31 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 620A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V