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Halbleiter Transistoren
N-Kanal-FETs und MOSFETs

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YTAF630

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N-Kanal-Transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A....
YTAF630
N-Kanal-Transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
YTAF630
N-Kanal-Transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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ZVN3306F

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N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO...
ZVN3306F
N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVN3306F. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 35pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVN3306F. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 35pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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ZVNL120A

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N-Kanal-Transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. IDSS (max): 0.18...
ZVNL120A
N-Kanal-Transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. IDSS (max): 0.18A. Einschaltwiderstand Rds On: 10 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Menge pro Karton: 1
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N-Kanal-Transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. IDSS (max): 0.18A. Einschaltwiderstand Rds On: 10 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Menge pro Karton: 1
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ZXMN7A11GTA

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N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. I...
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N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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