N-Kanal-Transistor 2N5459, 16mA, TO-92, TO-92, 25V

N-Kanal-Transistor 2N5459, 16mA, TO-92, TO-92, 25V

Menge
Stückpreis
1-4
0.69€
5-24
0.59€
25-49
0.53€
50-99
0.48€
100+
0.41€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 1999

N-Kanal-Transistor 2N5459, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. IDSS (max): 16mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2250pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: Uni sym. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 4mA. RoHS: ja. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Transistortyp: FET. Trr-Diode (Min.): 53 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16

Technische Dokumentation (PDF)
2N5459
24 Parameter
IDSS (max)
16mA
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Spannung Vds(max)
25V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2250pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
Uni sym
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) max.
8V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
2V
Gate/Source-Spannung Vgs
4.5V
IDss (min)
4mA
IGF
10mA
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
4mA
RoHS
ja
Technologie
Allzweck-JFET-Transistor
Transistortyp
FET
Trr-Diode (Min.)
53 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 2N5459