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N-Kanal-Transistor 0505-001247, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V
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N-Kanal-Transistor 0505-001247, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 2.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: MOS-N-FET. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11
0505-001247
15 Parameter
ID (T=100°C)
1.4A
ID (T=25°C)
2.7A
IDSS (max)
2.7A
Einschaltwiderstand Rds On
1.5 Ohms
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Funktion
MOS-N-FET
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Samsung