N-Kanal-Transistor 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

N-Kanal-Transistor 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.34€
5-49
0.29€
50-99
0.26€
100-199
0.23€
200+
0.19€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 332

N-Kanal-Transistor 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 60pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gewicht: 0.18g. IDss (min): 1uA. Id(imp): 0.5A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

2N7000-ONS
27 Parameter
ID (T=25°C)
0.2A
IDSS (max)
1000uA
Einschaltwiderstand Rds On
5 Ohms
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
60pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Gewicht
0.18g
IDss (min)
1uA
Id(imp)
0.5A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
2n7000
Kosten)
25pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.35W
Td(off)
10 ns
Td(on)
10 ns
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
0.8V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor

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