Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MMBT5551

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MMBT5551. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 0.6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1. Äquivalente: MMBT5551LT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code G1 (3S Fairchild). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

Technische Dokumentation

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