MJE15031G

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1 - 4	2.03€	2.42€
5 - 9	1.93€	2.30€
10 - 24	1.83€	2.18€
25 - 49	1.73€	2.06€
50 - 99	1.72€	2.05€
100 - 132	1.75€	2.08€

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MJE15031G. Gehäuse: TO-220. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -150V. C(in): -8A. Kosten): 50W. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15030G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 16:25.

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MJE15031

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