Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 4 | 0.77€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.74€ | 0.88€ |
10 - 24 | 0.70€ | 0.83€ |
25 - 49 | 0.66€ | 0.79€ |
50 - 99 | 0.53€ | 0.63€ |
100 - 249 | 0.52€ | 0.62€ |
250 - 399 | 0.54€ | 0.64€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.77€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.74€ | 0.88€ |
10 - 24 | 0.70€ | 0.83€ |
25 - 49 | 0.66€ | 0.79€ |
50 - 99 | 0.53€ | 0.63€ |
100 - 249 | 0.52€ | 0.62€ |
250 - 399 | 0.54€ | 0.64€ |
MJE243G. Kollektorstrom: 4A. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 4A. Kosten): 15W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE253. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 20:25.
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