NPN-Transistor, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE243G

NPN-Transistor, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE243G. NPN-Transistor, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 4A. Kosten): 15W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE253. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 22:25.