IRG4BC30W

IRG4BC30W. C(in): 980pF. Kosten): 71pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Funktion: Leistungs-MOSFET-Transistor bis 150 kHz. Kollektorstrom: 23A. Ic(Impuls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG 4BC30W. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.