Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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MJE350-ST

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MJE350-ST. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.

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