IRLR8721

IRLR8721. C(in): 1030pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.