Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP140

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IRFP140. C(in): 1700pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9140. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.077 Ohms. RoHS: ja. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 180W. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 2800pF. Kosten): 1100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFP150. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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