IRF4905

IRF4905. C(in): 3400pF. Kosten): 1400pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 89 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 74A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.