Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP048

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IRFP048. C(in): 2400pF. Kosten): 1300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.

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C(in): 1900pF. Kosten): 620pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 94 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 210A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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