Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP044N

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IRFP044N. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP044N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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C(in): 4500pF. Kosten): 2000pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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