Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N2222A. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 10:25.

Technische Dokumentation

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Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: ...
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Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 600mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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