IRF820

IRF820. Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. C(in): 360pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.