Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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Halbleiter Transistoren

IRF7341

IRF7341

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IRF7341. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Konditionierungseinheit: 95. Funktion: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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