FDS6679AZ

FDS6679AZ. C(in): 2890pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): n/a. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.