P-Kanal-Transistor, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435A

P-Kanal-Transistor, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435A. P-Kanal-Transistor, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2010pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-Kanal. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 02:25.