AO4407A

AO4407A. C(in): 2060pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4407A. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.