IRF9640

IRF9640. C(in): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 125W. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 20:25.