IHW20T120

IHW20T120. C(in): 1460pF. Kosten): 78pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 178W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.