IRG4PC40K

IRG4PC40K. C(in): 1600pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kollektorstrom: 42A. Ic(Impuls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G4PC40K. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.