P-Kanal-Transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY

P-Kanal-Transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY. P-Kanal-Transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 10nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.