P-Kanal-Transistor, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v - SI4435DY

P-Kanal-Transistor, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v - SI4435DY. P-Kanal-Transistor, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 8.8A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 01:25.