FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 860pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 760pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -14A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9530. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 760pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 79W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, -100V, 23A, TO-220AB <.45/32nsec. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 23A. Gehäuse: TO-220AB <.45/32nsec. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -23A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9540. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 170pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 7A. ID (T=100°C): 1A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -200V, -1.8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9610PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 170pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 350pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -200V, -3.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9620PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-Kanal-Transistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 700pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, -200V, 6.5A, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V. Maximaler Drainstrom: 6.5A. Gehäuse: TO-220AB. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Leistung: 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -200V, -6.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9630PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 125W. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -200V, -11A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9640PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9640S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F9953. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -55V, -19A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9Z34NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9Z34NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V