FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Funktion: Dual P-Kanal MOSFET PowerTrench 30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Menge pro Karton: 2. Technologie: P-Kanal. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Menge pro Karton: 2. Technologie: P-Kanal. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2470pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Herstellerkennzeichnung: Erweiterter VGS-Bereich (-25 V) für batteriebetriebene Anwendungen. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

P-Kanal-Transistor, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2890pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS9435A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 528pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: P. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.075 Ohms

P-Kanal-Transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. ID (T=25°C): 0.46A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. C(in): 63pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 304. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 2550pF. Kosten): 710pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 198 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 25.5A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 294W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 81 nC). G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1100pF. Kosten): 510pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 420pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 83 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1C ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. C(in): 1450pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: P. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 60A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: P-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. Spec info: Audioverstärker. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

P-Kanal-Transistor, 74A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 74A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3400pF. Kosten): 1400pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 89 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 52A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -55V, -74A, 200W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 200W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF4905. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F4905S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F4905S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2700pF. Kosten): 790pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 40A, TO-220AB, -100V. Maximaler Drainstrom: 40A. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms

P-Kanal-Transistor, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2860pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 24A. IDss (min): 50uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F5210S. Pd (Verlustleistung, max): 3.8W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5210S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 71 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 31A, TO-220AB, -55V. Maximaler Drainstrom: 31A. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -55V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Leistung: 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5305S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5305S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 150V. C(in): 860pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 160 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS