FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: 2xP-CH 20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7204. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 870pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3.7A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -12V, -6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7233. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -12V, -9.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7233. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -20V, -4.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7304. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 610pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -3.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7306. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7314. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 780pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--30Ap

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -3.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7316. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6.4A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: PNP & PNP. Menge pro Karton: 2. Funktion: Dualer P-Kanal-Mosfet-Transistor, Extrem niedriger RDS-Einschaltwiderstand

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: P. Äquivalente: IRF7342PBF. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--27Ap

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7342. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7342. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1700pF. Kosten): 890pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 59 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -10A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7416. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.04V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 59 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -11A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7424. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.04V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4030pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 20V. C(in): 7980pF. Kosten): 1480pF. Kanaltyp: P. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.082 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 230 ns. Td(on): 13 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.45V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. ID (T=25°C): 11A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Kosten): 570pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 50M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: HEXFET. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 150uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Laptop-Schaltkreise. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.039 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 65 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Menge pro Karton: 1. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9510PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 390pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 98 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS