P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A - IRF9520NS-IR

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A - IRF9520NS-IR. P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9520. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 03:25.