Diodengleichrichterbrücken

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300mA. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 29x29mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300mA. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 29x29mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 29x29mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 300A. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V

Cj: 300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB256. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: MB-25. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: 28x28x11.5mm

Cj: 300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB-256W. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: t=8.2ms

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 360A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 10uA. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.26V. Durchlassspannung Vf (min): 1.26V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 360A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB25100. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.26V. Durchlassspannung Vf (min): 1.26V. VRRM: 1000V

Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: t=8.2ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 664uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. Abmessungen der Anschlüsse: 23x1.2mm. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Kabel

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 655uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 400A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Pinbelegung: Lötanschlüsse auf der Leiterplatte. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 375A 50Hz (10ms). MRT (min): 10uA. Außenmaterial: Kunststoffgehäuse mit Kühlfläche. Abmessungen: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Tr: 1500 ns. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V

Vorwärtsstrom (AV): 35A. VRRM: 1000V. IFSM: 400A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 10uA. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 375A 50Hz (10ms). MRT (min): 10uA. Außenmaterial: Kunststoffgehäuse mit Kühlfläche. Abmessungen: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Tr: 1500 ns. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 375A 50Hz (10ms). MRT (min): 10uA. Außenmaterial: Kunststoffgehäuse mit Kühlfläche. Abmessungen: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Tr: 1500 ns. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V

Pinbelegung: Lötanschlüsse auf der Leiterplatte. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 330A 50Hz (10ms). MRT (min): 10uA. Abmessungen: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Tr: 1500 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V

Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Brückengleichrichter, Diodengleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB5005. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 50A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 400A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen