Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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KBPC2501. Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 360A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB25100. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.26V. Durchlassspannung Vf (min): 1.26V. VRRM: 1000V
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Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 360A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB25100. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.26V. Durchlassspannung Vf (min): 1.26V. VRRM: 1000V
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Cj: 300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB256. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: MB-25. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: 28x28x11.5mm
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Cj: 300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 400A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MB256. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: MB-25. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: 28x28x11.5mm
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Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 300A. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V
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Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 300A. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V
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