Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Diodengleichrichterbrücken

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MB6S

MB6S

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponent...
MB6S
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
MB6S
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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MB6S-E3-80

MB6S-E3-80

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 230V Netzgleichrichte...
MB6S-E3-80
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 230V Netzgleichrichter. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B6. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Abmessungen: Gehäuseabmessungen 4,1 x 4,95 mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
MB6S-E3-80
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 230V Netzgleichrichter. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B6. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Abmessungen: Gehäuseabmessungen 4,1 x 4,95 mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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MB8S

MB8S

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponent...
MB8S
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
MB8S
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 32A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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MBS6

MBS6

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Äquivalente: MB6SA. Abmessunge...
MBS6
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Äquivalente: MB6SA. Abmessungen: 4.70x3.80x2.50mm, TO-269AA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA
MBS6
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Äquivalente: MB6SA. Abmessungen: 4.70x3.80x2.50mm, TO-269AA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA
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MYS125SMD

MYS125SMD

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponent...
MYS125SMD
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MicroDIL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
MYS125SMD
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MicroDIL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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MYS250

MYS250

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponent...
MYS250
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
MYS250
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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MYS80

MYS80

Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponent...
MYS80
Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Nennstrom [A]: 0.5A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 3x3x1.8mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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PB1002S

PB1002S

Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. RoHS: ja. Komponent...
PB1002S
Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 15.1x15.1x6.3 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
PB1002S
Nennstrom [A]: 10A. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 15.1x15.1x6.3 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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PSD-68-12

PSD-68-12

VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 68A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-G...
PSD-68-12
VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 68A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 300A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.46V. Durchlassspannung Vf (min): 1.46V
PSD-68-12
VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 68A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 300A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.46V. Durchlassspannung Vf (min): 1.46V
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PSD-83-12

PSD-83-12

VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 86A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-G...
PSD-83-12
VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 86A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 530A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ECO-PAC 1. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V
PSD-83-12
VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 86A. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 530A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ECO-PAC 1. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V
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RBV406

RBV406

Teilung: 7,5 mm. Abmessungen: 25x15x4.5mm...
RBV406
Teilung: 7,5 mm. Abmessungen: 25x15x4.5mm
RBV406
Teilung: 7,5 mm. Abmessungen: 25x15x4.5mm
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RS504

RS504

VRRM: 250V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbr...
RS504
VRRM: 250V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Einphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B250C5000A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
RS504
VRRM: 250V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Einphasen-Gleichrichterbrücke. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B250C5000A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 40x21x6.5mm. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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RS602

RS602

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Cj: 186pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenb...
RS602
VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Cj: 186pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 250A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 23x17x6.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
RS602
VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Cj: 186pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 250A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 23x17x6.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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RYBS3010

RYBS3010

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Spezifität: schnell. Trr: 500...
RYBS3010
VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Spezifität: schnell. Trr: 500nsec. Durchlassspannung Vf: 1.3V. Serie: YBS. Abmessungen: 6.6x7.3x1.4mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RYBS3010
VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Funktion: Gleichrichterbrücke. Spezifität: schnell. Trr: 500nsec. Durchlassspannung Vf: 1.3V. Serie: YBS. Abmessungen: 6.6x7.3x1.4mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
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S125-SLIMSMD

S125-SLIMSMD

Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponent...
S125-SLIMSMD
Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
S125-SLIMSMD
Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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S1WB60B

S1WB60B

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Hal...
S1WB60B
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4
S1WB60B
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4
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S1WB80B

S1WB80B

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Hal...
S1WB80B
VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4
S1WB80B
VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4
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S1WBS60

S1WBS60

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Hal...
S1WBS60
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4
S1WBS60
VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4
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S250

S250

Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponent...
S250
Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
S250
Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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S380

S380

VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. RoHS: ja. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleiterma...
S380
VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. RoHS: ja. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 40A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Gehäuse (laut Datenblatt): MiniDIL / SLIM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V
S380
VRRM: 800V. Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. RoHS: ja. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 40A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-269AA (MBS). Gehäuse (laut Datenblatt): MiniDIL / SLIM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V
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S80

S80

Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponent...
S80
Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
S80
Nennstrom [A]: 0.8A. Spitzenspannung Urrm [V]: 160V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-269AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-269AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SKB25-16

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Nennstrom [A]: 17A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 320A. RoHS: ja. Kompone...
SKB25-16
Nennstrom [A]: 17A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 320A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.8x28.8x10mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 2.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
SKB25-16
Nennstrom [A]: 17A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 320A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.8x28.8x10mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 2.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SKBPC3512

SKBPC3512

VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 35Ax3. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Anzahl der Termi...
SKBPC3512
VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 35Ax3. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Serie: SKBPC3
SKBPC3512
VRRM: 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 35Ax3. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Serie: SKBPC3
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SKBPC5016

SKBPC5016

VRRM: 1600V. Vorwärtsstrom (AV): 3x50A. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Anzahl der Termi...
SKBPC5016
VRRM: 1600V. Vorwärtsstrom (AV): 3x50A. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Serie: SKBPC3
SKBPC5016
VRRM: 1600V. Vorwärtsstrom (AV): 3x50A. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen der Anschlüsse: 6,35 x 0,8 mm Faston-Anschluss. Serie: SKBPC3
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SKCH28-12

SKCH28-12

Nennstrom [A]: 28A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 280A. RoHS: ja. Kompone...
SKCH28-12
Nennstrom [A]: 28A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 280A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Gesteuerte Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 63x32x22mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 2.25V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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Nennstrom [A]: 28A. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.2 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 280A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Gesteuerte Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 63x32x22mm. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen. Anzahl der Terminals: 4. Schwellenspannung Uf [V]: 2.25V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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