Diodengleichrichterbrücken

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 12A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 12A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 4A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: NINCS. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 150A. Äquivalente: KBL406, RS406, RS406G. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 22x19x3.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms)

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. IFSM: 135A. MRT (maximal): 10uA. Äquivalente: KBU6J, KBU606, RS605. Teilung: 5.08x5.08x5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Vorwärtsstrom (AV): 6A (2,8A ohne Kühlkörper). Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-4 (21.8x18.3x3.5mm)

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Spezifität: schnell. Trr: <75nsec. Abmessungen: 4.4x5x1.4mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 200A. Äquivalente: KBL06, RS406, RS406G. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 200A. Äquivalente: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Cj: 40pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RS407. Abmessungen der Anschlüsse: 5.08x5.08mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 4A. VRRM: 800V. Serie: KBL. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Äquivalente: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 4x4x4mm. Abmessungen: 17.5x14x6.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--60Ap

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 600V. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10/15/25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10/15/25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10/15/25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10/15/25A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 200V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Cj: 21pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 175A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 1000uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 13x13mm. RoHS: ja. Teilung: 19x19mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--175Ap

Cj: 21pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Teilung: 13x13mm. RoHS: ja. Teilung: 19x19mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Teilung: 19x19mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen der Anschlüsse: 13x13mm. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 10A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 200A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Abmessungen der Anschlüsse: Durchmesser 0,9 mm, 10,8 x 10,8 mm. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 15.2x15.2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 400V