Diodengleichrichterbrücken

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 2 AMPS. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2W06. Teilung: 5.6x5.6mm. Abmessungen: 10mm Durchmesser. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 2A. VRRM: 1000V. Abmessungen: Durchmesser 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Single Phase 2 AMPS. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Hinweis: Durchmesser 10 mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2W10. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.6x5.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ABS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1000V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 27A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ABS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 27A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Abmessungen: 28x28mm. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 35A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1.6 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 300A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Cj: 50pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 158A. MRT (min): 5uA. Äquivalente: KBU607G, KBU610, GBU6M-E3/45, GBU607C2. Abmessungen der Anschlüsse: 5.08x5.08mm. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 21.5x18.3x3.4mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 158A (50Hz 10ms), 175A (60Hz 8.3ms)

Cj: 25pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.2mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 8.3x6.4x2.5mm. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 250V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 45A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 370A. MRT (maximal): 1500uA. MRT (min): 5uA. Abmessungen der Anschlüsse: 4x7.5mm. Abmessungen: 35x25x4mm. RoHS: ja. Gewicht: 9g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 1600V. Anzahl der Terminals: 5

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Funktion: Dreiphasen-Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 83A. IFSM: 530A. MRT (maximal): 3mA. MRT (min): 0.5mA. Abmessungen der Anschlüsse: 0.75x12.3mm. Anzahl der Terminals: 5. Abmessungen: 47x30x8mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ECO-PAC 1. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 230V Netzgleichrichter. Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. IFSM: 50A. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x10x3.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Vrms: 250V. VRRM: 600V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.85V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (19x3.5x10mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2.3A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 0.85V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 19x10x3.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 500V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SIL (32x56x16mm). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 5A/3.3A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 150A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 8.3x6.4x3.1mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 1A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 40A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: runden, Durchmesser 9mm, Höhe 5,1 mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 2A/1.5A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 50A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C