Diodengleichrichterbrücken

Cj: 300pF. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Menge pro Karton: 4. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 50A. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 400V

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 664uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 50A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 400A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 664uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 50A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 400A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Cj: 300pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Brückengleichrichter, Diodengleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 500A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Teilung: 28x28mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: 28.6x28.6x7.3mm. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 50A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 1 kV. Spitzenstrom Ifsm [A]: 400A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Konfiguration: Anschluss über Faston-Klemmen

Abmessungen der Anschlüsse: 10.8x10.8mm. Abmessungen: 15.2x15.2mm

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Teilung: 10.8x10.8mm. RoHS: ja. Teilung: 15.2x15.2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms)

Cj: 186pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Brückengleichrichter, Diodengleichrichterbrücke. Dreiphasig: 0. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.8x10.8mm. RoHS: ja. Teilung: 15.2x15.2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 19x19x6.8mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1.2V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 135A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 800V. Äquivalente: KBU1008. Serie: KBU. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 4A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 400V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 4A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 4A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 180A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 6A. VRRM: 1000V. Serie: KBU. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: KBU6J, KBU606, RS605. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 23x19x6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 8A. VRRM: 600V. Serie: KBU. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Funktion: Gleichrichterbrücke. Vorwärtsstrom (AV): 8A. VRRM: 1000V. Serie: KBU. Gehäuse: SIL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 100V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): 8A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 600V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Diodenbrücke (Graetz). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 23.5x5.7x19.3mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Nennstrom [A]: 8A. Schwellenspannung Uf [V]: 1V. Spitzenspannung Urrm [V]: 800V. Spitzenstrom Ifsm [A]: 270A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: KBU8M, KBU807. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms)

Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 25A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: MB10S. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.5mm. Abmessungen: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): MBF. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: maximale Dicke 1,6 mm