Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD249C

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BD249C. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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