Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

BD249C-PMC

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BD249C-PMC. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 25A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1450. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 125W. Max Frequenz: 3MHz. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C
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Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1450. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 125W. Max Frequenz: 3MHz. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C
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