AP4800CGM

AP4800CGM. C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. IDSS: 10uA. IDSS (max): 10.4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800C G M. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.