N-Kanal-Transistor, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AP4800CGM

N-Kanal-Transistor, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AP4800CGM. N-Kanal-Transistor, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. IDSS: 10uA. IDSS (max): 10.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800C G M. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Originalprodukt vom Hersteller Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 10:25.