Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

1N4005

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1N4005. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller Dc Components Co.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.

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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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