Zenerdioden

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Toleranz: 5%. VRRM: 51V

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. Toleranz: 5%. VRRM: 8.2V

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. VRRM: 10V. Zenerspannung: 10V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 100V. Zenerspannung: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 110V. Zenerspannung: 110V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 12V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 120V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 130V. Zenerspannung: 130V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 15V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z150. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 150V. Zenerspannung: 150V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 160V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 180V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 180V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z200. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 22V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 24V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. VRRM: 27V. Zenerspannung: 27V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 33V. Zenerspannung: 33V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diodentyp: Zenerdiode. Zenerspannung: 36V. Leistung: 2W. Gehäuse: DO-15

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 47V. Zenerspannung: 47V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Zenerspannung: 5.6V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation