Verschiedene Speicherschaltungen

Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2DC. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8 ( 8S1 ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Versorgungsspannung: 6.25V. Hinweis: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Hinweis: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Hinweis: speichert Daten 40 Jahre lang

Funktion: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8 ( 8S1 ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V. Spec info: 64kx8bit I2C

Funktion: EEPROM-Speicher 16 Kbit. Hinweis: high speed clock. Hinweis: 4.5V...5.5V max 20MHz. Hinweis: 2.5V...5.5V max 10MHz. Hinweis: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V. Spec info: 1.000.000 Schreibzyklen, 100 Jahre Datenerhaltung

Funktion: OTP-EPROM. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Anzahl der Terminals: 28. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm)

Konditionierung: Kunststoffrohr. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 93C46P. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24C164LI. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Hinweis: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Hinweis: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24C64F. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Hinweis: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24C64F. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Hinweis: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Hinweis: SRAM. Serie: CMOS

Spannungsversorgung: 5V. Funktion: 2K x 8 CMOS statischer RAM-Speicher. Spec info: 120ns access time

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 11. Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-32. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6V. Hinweis: CMOS mit geringem Stromverbrauch. Hinweis: Mit Backup-Batterie

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Speichertyp: SRAM +RTC. Speicherschaltkreisfamilie: DS13. Speichergröße [Byte]: 64 Byte. Speicherkonfiguration: 64x8-bit. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 100kHz. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, I2C-Bus. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Speicherschaltkreisfamilie: DS24. Speichergröße [Byte]: 4 Kbit. Speicherkonfiguration: 16x256-bit. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Speichertyp: SRAM-Speicher, serieller Buszugriff. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, 1-Wire / 3-Wire . Mindestversorgungsspannung (V): +2.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Speicherschaltkreisfamilie: DS24. Speichergröße [Byte]: 4 Kbit. Speicherkonfiguration: 16x256-bit. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Speichertyp: SRAM-Speicher, serieller Buszugriff. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, 1-Wire / 3-Wire . Mindestversorgungsspannung (V): +2.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Hinweis: SAMSUNG TXT. Hinweis: CMOS S-RAM. Gehäuse: DIP

Funktion: Erinnerung. Anzahl der Terminals: 8:1. Speichertyp: NOR Flash. Programmspeicher: 1Mbit. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: FLASH -Speicher. Stromversorgung: 2.7...3.6V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8. Betriebsfrequenz: 80MHz. Betriebstemperatur: -40...85°C. Ein-/Ausgänge: Dual I/O, SPI

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PLCC32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speichertyp: FIFO. Speicherschaltkreisfamilie: 72. Speichergröße [Byte]: 512x9-bit. Speicherkonfiguration: 512x9-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 35 ns. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PLCC32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: 72. Speichergröße [Byte]: 32K x 9-bit. Speicherkonfiguration: 32K x 9-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 25 ns. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IS62C256AL. Anzahl der Terminals: 28. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-28. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Speichertyp: Analoger Speicher für Audioaufzeichnung. Speicherschaltkreisfamilie: ISD. Speichergröße [Byte]: 32 sec. Speicherkonfiguration: 1 x 32s. Schnittstellentyp: I/O-pin. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 12kHz. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V