Verschiedene Speicherschaltungen

Hinweis: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Hinweis: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24C64F. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Hinweis: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24C64F. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Hinweis: SRAM. Serie: CMOS

Funktion: 2K x 8 CMOS statischer RAM-Speicher. Spec info: 120ns access time. Spannungsversorgung: 5V

Serie: n/a. Speichertyp: SRAM - Asynchronous. Schnittstelle: Parallel. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 45ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SOP32. Information: n/a. MSL: n/a

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 11. Hinweis: CMOS mit geringem Stromverbrauch. Hinweis: Mit Backup-Batterie. Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-32. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Speichertyp: SRAM +RTC. Speicherschaltkreisfamilie: DS13. Speichergröße [Byte]: 64 Byte. Speicherkonfiguration: 64x8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 100kHz. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, I2C-Bus. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Speichertyp: SRAM-Speicher, serieller Buszugriff. Speicherschaltkreisfamilie: DS24. Speichergröße [Byte]: 4 Kbit. Speicherkonfiguration: 16x256-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, 1-Wire / 3-Wire . Mindestversorgungsspannung (V): +2.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Speichertyp: SRAM-Speicher, serieller Buszugriff. Speicherschaltkreisfamilie: DS24. Speichergröße [Byte]: 4 Kbit. Speicherkonfiguration: 16x256-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, 1-Wire / 3-Wire . Mindestversorgungsspannung (V): +2.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Hinweis: SAMSUNG TXT. Hinweis: CMOS S-RAM. Gehäuse: DIP

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Speichergröße: 64Kbit (8Kx8). Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Speichergröße: 64Kbit (8Kx8). Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Speichergröße: 64Kbit (8Kx8). Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Speichergröße: 64Kbit (8Kx8). Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 4.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Speichergröße: 64Kbit (8Kx8). Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a